K330 Datenblatt PDF

Teilenummer : K330

Funktion :TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

Hersteller : Toshiba

Pinout :
K330 datenblatt

Beschreibung :

* High breakdown voltage: VGDS= −50 V

* High input impedance: IGSS= −1nA (max) (VGS= −30 V)

* Low RDS (ON): RDS (ON)= 320 Ω(typ.) (IDSS= 5 mA)
 

* Complementary to 2SJ105

* Small package

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K330 pdf

Andere Datenblätter in der Datei : 2SK330,K330

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